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【ITBEAR】德州仪器（TI）近日宣布，其位于日本会津的工厂正式启动氮化镓（GaN）功率半导体产品的生产。这一举措标志着德州仪器GaN功率半导体的整红包群微信免费加入体产能实现了四倍增长。
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德州仪器技术和制造高级副总裁 Mohammad Yunus 透露，公司已成功验证200mm GaN技术，并红包群微信免费加入在会津工厂实现量产这一技术被认为是当前最具可扩展性和成本竞争力的GaN制造方法随着会津工厂的量产，德州仪器计划到2030年将内部制造率提升至95%以上，并确保GaN高功率、高能效半导体产品的稳定供应。红包群微信免费加入
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德州仪器还成功进行了300mm晶圆GaN制造工艺的试点，这将使其能够将GaN器件扩展至900V及更高电压，开拓更多应用场景。
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